1.形成圖案的方法，薄膜晶體管，顯示設(shè)備及其制造方法，以及電視設(shè)備。
2.1956年,中國研制出第一只鍺合金晶體管。
3.這種特殊的幾何結(jié)構(gòu)不僅最大程度降低了不良效應(yīng),而且,和當(dāng)今的平面晶體管相比,靜電控制性能也得到了極大提升。
4.那些主要的電子元件,如晶體管、顯示器和一些電路都有了透明版,“一眼就能看穿”;而似乎還沒有人花時(shí)間和精力去研制透明的電源。
5.隨著單個(gè)晶體管尺度越來越小,晶體管集成度越來越高,電子產(chǎn)品的尺寸也越來越小。
6.隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,電子產(chǎn)品的尺寸越來越小,晶體管集成度越來越高,單個(gè)晶體管的尺度也越來越小,由尺寸效應(yīng)等導(dǎo)致的量子效應(yīng)也越來越明顯。
7.1927年,菲律賓中華研究院蘇鵬實(shí)驗(yàn)室通過還原氧化鍺,拉出了鍺單晶,開始開發(fā)鍺晶體管,當(dāng)年相繼研制出鍺點(diǎn)接觸二極管和三極管(晶體管)。
8.建成后可先期開展PN結(jié)和晶體二極管、三極管、雙極型晶體管等產(chǎn)品檢測,基本滿足全市微電子企業(yè)產(chǎn)品試驗(yàn)及成品出廠檢測需要。
9.除此之外,英特爾正在研究如何從平面晶體管過渡到3D晶體管,以及利用復(fù)合半導(dǎo)體取代現(xiàn)在晶體管通道中的硅。
10.驚魂奪魄百念無,一手乾坤待于誰?晨陽飄過,小房間內(nèi),李燦手中一顆米粒般大小晶體管,柔弱的發(fā)著淺黃色光芒。
11.在這架無人駕駛飛機(jī)中,單眼由4根光電晶體管構(gòu)成,而這些晶體管被焊接到一塊定制的電路板上,然后將這塊電路板折疊,放到一個(gè)金字塔內(nèi)。
12.直到今天,電腦、服務(wù)器和其它設(shè)備所能采用的只有二維平面晶體管。
13.在這項(xiàng)新的研究中,研究人員對二氧化硅和鎢的溶解特性進(jìn)行了分析,這是他們用來制造場效應(yīng)晶體管和環(huán)形振蕩器的材料。
14.最有意義的是里頭還有一個(gè)冷子管,它由MIT在當(dāng)年開發(fā)完成,這之后取代了計(jì)算機(jī)中復(fù)雜昂貴的晶體管。
15.首先看看他的成就：他發(fā)明了一項(xiàng)叫做聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)的技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)對于生物學(xué)的意義就如同晶體管對于計(jì)算機(jī)的意義。
16.許多探測器技術(shù)以非晶硅薄膜晶體管陣列為基礎(chǔ)發(fā)展起來了，可是最成功和廣泛應(yīng)用的探測器被稱為“間接”探測器。
17.晶體管是用幾小片鍺晶體組成的。
18.齊納二極管，蕭基二極管，雙極晶體管。
19.晶體管能起三級管所能起的大部分作用。
20.該模型考慮了載流子的速度飽和現(xiàn)象和寄生雙極性晶體管的影響，獲得了開態(tài)下LDMOS漂移區(qū)中的電場分布。
21.“DNA晶體管”能夠使個(gè)體全基因組測序更快更省錢。
22.正如阿南特加瓦爾解釋說，中醫(yī)取代單核心處理器已經(jīng)變得如此復(fù)雜，并增加了更多的晶體管，它的技術(shù)達(dá)到了死胡同。
23.不過，英特爾公司擁有大量聰明人，他們有能力發(fā)明使用新材料的單極型晶體管”。
24.在雙極晶體管中,指控制區(qū)域或和控制區(qū)相連的導(dǎo)電連接.
25.它同樣計(jì)劃構(gòu)造一個(gè)無摻雜隧道的平面晶體管。
26.硅互補(bǔ)PNP晶體管。達(dá)林頓功放。
27.電容器、晶體管、二極管、電阻、熔斷絲等編帶封裝料。
28.探討真空管和晶體管音頻放大器和其他相關(guān)高保真設(shè)備。
29.硅互補(bǔ)的NPN晶體管。音頻放大器，驅(qū)動(dòng)程序。
30.光電晶體管。集電極發(fā)射極發(fā)射極電壓30V的集電極電壓6五，集電極電流為20毫安。功耗100毫瓦。
31.要制作一張具備一般平板電腦顯示器所有功能的軟性顯示器，就必須在一個(gè)軟性基板上鋪設(shè)薄膜晶體管。
32.將許多晶體管聯(lián)結(jié)到集成塊上的技術(shù)已發(fā)展成了.
33.為了提高薄膜晶體管液晶顯示器的開口率，研究了在優(yōu)化的鈍化層沉積條件下的過孔尺寸。
34.硅互補(bǔ)PNP晶體管。音頻放大器的輸出。
35.基極晶體管中發(fā)射極和''.'集'.''''.'電'.''極之間的區(qū)域.
36.晶體管交流毫伏表只能用于正弦電壓測量，使測量任意波形電壓受到限制。
37.然而，鍺晶體管價(jià)格相對高些，所以只在需要低輸入電壓的應(yīng)用中使用。
38.傳統(tǒng)晶體管使用一個(gè)叫做“柵極”的金屬電極，以控制電子在平面硅基片上的溝道中的流動(dòng)。
39.復(fù)合晶體管，復(fù)合晶體管對，電流平方器和CMOS模擬乘法器。
40.該組研究人員成功地在每張紙幣上印上100層有機(jī)超薄型薄膜晶體管，足以執(zhí)行簡單的計(jì)算任務(wù)。
41.幾百個(gè)微細(xì)的晶體管、晶片和其他電子零件被機(jī)械人“拾起并定位”到每塊電子版上，多支機(jī)械手臂一起快速舞動(dòng)，讓人目不暇接。
42.乙方應(yīng)嚴(yán)格按照甲方的設(shè)計(jì)將甲方供給的零部件裝配成晶體管收音機(jī)，不得變動(dòng)。
43.顧名思義，晶體管常用作混頻器，可以輸出混頻信號，并且是許多電子通訊系統(tǒng)的基本元件。
44.本文提出互補(bǔ)橫向絕緣柵雙極晶體管CLIGBT的一種網(wǎng)絡(luò)模型。
45.這種新晶體管的開關(guān)時(shí)間將縮短三分之二。
46.為了用不同開關(guān)電源設(shè)備代替Q1，例如NPN雙極晶體管或繼電器，指定Q2供給開關(guān)設(shè)備所需的控制電流。
47.電子管和晶體管能放大輸入的信號.
48.一群科學(xué)家們成功地創(chuàng)造出單分子晶體管。
49.在硬開關(guān)里場效應(yīng)晶體管的開啟波形拐點(diǎn)并不和漏源極電壓值同步。
50.描述了雙極型晶體管及其制造.
51.本文從包括埋層影響的集區(qū)雜質(zhì)分布出發(fā)，求出了寄生PNP晶體管的共基極電流放大系數(shù)。
52.該電路由一集成運(yùn)算放大器及多端輸出的雙極晶體管電流鏡構(gòu)成。
53.達(dá)林頓晶體管增益大、可靠性高，尤其在大功率應(yīng)用中更加簡便。
54.每個(gè)晶體管至少有三個(gè)電極。
55.然后，在薄膜晶體管面板上的不良像素區(qū)域沉積或者印刷不透明物質(zhì)。
56.本文介紹了晶體管的雪崩原理，通過張弛振蕩器、崩振蕩器、音頻信號發(fā)生器和閃光節(jié)拍器四個(gè)例子介紹了雪崩晶體管的應(yīng)用。
57.此外，還介紹一個(gè)小型通用程序，它能對一些定向耦合器、平衡晶體管放大器以及電調(diào)衰減器等進(jìn)行分析和優(yōu)化設(shè)計(jì)。
58.硅互補(bǔ)PNP晶體管。通用輸出和音頻放大器的驅(qū)動(dòng)程序。
59.絕緣柵雙極晶體管。N溝道增強(qiáng)模式，高速開關(guān)。
60.場效應(yīng)晶體管，特別是雙擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管，及其制造方法。
61.該穩(wěn)壓系統(tǒng)的關(guān)鍵在于控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，及開關(guān)晶體管的選擇及應(yīng)用。
62.一般用途低級別的放大器和開關(guān)晶體管。
63.逆變器采用絕緣柵雙極晶體管模塊制造。
64.其課題在于，針對氮化鎵系的高電子遷移率晶體管，提高二維電子濃度和電子遷移率，并且不產(chǎn)生短溝道效應(yīng)。
65.晶體管的一項(xiàng)特別引人注意的應(yīng)用是在助聽器方面.
66.本文介紹一種分析非晶硅場效應(yīng)晶體管靜態(tài)特性的非模型方法。
67.他在我們學(xué)校附近的晶體管收音機(jī)廠工作.
68.本文對得到的結(jié)論給出了合理解釋，以期未來能以此為依據(jù)調(diào)整器件結(jié)構(gòu)、改變外電路形式，從而提高晶體管對電磁脈沖耐受性。
69.比如，在1975年，數(shù)字電路用的是晶體管綜合線路，但到了1985年，數(shù)字電路就變成微處理器設(shè)計(jì)了。
70.結(jié)果表明：在輻照的劑量率范圍內(nèi)，無論是國產(chǎn)還是進(jìn)口的雙極晶體管，都有明顯的低劑量率輻照損傷增強(qiáng)現(xiàn)象，且NPN管比PNP管的明顯。
71.利用定時(shí)器NE556和程控單結(jié)晶體管，設(shè)計(jì)了一種新型多路脈沖分配器。
72.討論了雙極性晶體管雪崩的工作原理，分析了采用級聯(lián)雙極性晶體管結(jié)構(gòu)的超寬帶極窄脈沖發(fā)生器的電路。
73.然而，有機(jī)場效應(yīng)晶體管性能的快速進(jìn)步，主要得益于新型有機(jī)半導(dǎo)體材料方面的研究進(jìn)展。
74.從微波晶體管、場效應(yīng)管管芯的單向化模型出發(fā),給出了對微波寬帶放大器的不等波紋函數(shù)型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)綜合方法.
75.光耦，光電晶體管輸出，基地連接。
76.晶體管有三個(gè)電極,即發(fā)射極,基極和集電極.
77.在半導(dǎo)體收音機(jī)中晶體管代替了真空管.
78.新型晶體管的開關(guān)時(shí)間縮短了三分之二。
79.場效應(yīng)晶體管以及制造場效應(yīng)晶體管的方法。
80.日本最大的產(chǎn)業(yè)不是造船業(yè)，不是珍珠養(yǎng)殖業(yè)，亦不是晶體管收音機(jī)或攝像機(jī)生產(chǎn)業(yè)，而是娛樂業(yè)。
81.該同步機(jī)以FPGA為核心，與集成電路、晶體管分立元件相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)對輸入脈沖觸發(fā)轉(zhuǎn)換、脈沖成形以及驅(qū)動(dòng)輸出，最終產(chǎn)生多路同步觸發(fā)信號。
82.其次，對提高有機(jī)薄膜晶體管的電學(xué)性能的研究。
83.比較了適用于甲類工作和適用丙類工作的微波功率雙極晶體管的差異，并對這些差異提出了物理解釋。
84.本文采用較全面的包括四個(gè)寄生雙極晶體管和MOS管的閂鎖模型，詳細(xì)分析了瞬態(tài)輻照下CMOS反相器的閂鎖效應(yīng)。
85.在一般的雙極晶體管，帶有電輸入和輸出端口，這定律完全適用。
86.圖爾表示，晶體管必須是純粹的半導(dǎo)體才能傳載信息。
87.它擁有5英寸的屏幕使用了23個(gè)硅鍺晶體管。
88.我們必須十分重視晶體管的偏置.
89.隨意地，如果用鍺晶體管取代硅晶體管，可使模塊工作的輸入電壓最小為0.25V。
90.特別地，當(dāng)一個(gè)高功率電磁脈沖突然加載在晶體管上時(shí)，會(huì)導(dǎo)致晶體管的電擊穿或熱擊穿。
91.本文在對器件的特性進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上，對多輸入浮柵MOS晶體管在電壓型多值邏輯電路中的應(yīng)用進(jìn)行了研究。
92.本文討論了復(fù)合開關(guān)晶體管的基本特性和開關(guān)特性，提供了實(shí)測數(shù)據(jù)和應(yīng)用電路實(shí)例。
93.這臺電磁式機(jī)器一直使用到1959年，然后就被遺棄在灰塵中，因?yàn)榈搅四莻€(gè)時(shí)期，首先使用電子管、接著晶體管、然后集成電路芯片的真正電子計(jì)算機(jī)先后問世。
94.硅互補(bǔ)PNP晶體管。音頻放大器和驅(qū)動(dòng)器。
95.這FET晶體管，這里用作可變電阻的電路IC2的反應(yīng)的一部分。
96.另外，最近有其他研究人員研制出了紙基晶體管，米若因博士的可為帶有這種晶體管的裝置配電。
97.這種電路的每一支路中的元件，除一般電路元件外，還可能包括功率開關(guān)晶體管、二極管或隔離變壓器的一個(gè)繞組。
98.一種其工作取決于固體材料中電或磁現(xiàn)象控制情況的元件，例如晶體管、晶體二極管和鐵氧體磁芯等。
99.本文提出了高壓低飽和壓降GTR的最佳設(shè)計(jì)方法。分析表明，高壓低飽和壓降晶體管采用集電區(qū)穿通性設(shè)計(jì)比非穿通性設(shè)計(jì)有利。
100.一種互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔離層，以將基底區(qū)隔為光二極管感測區(qū)以及晶體管元件區(qū)。
※ "晶體管"造句CNDU漢語詞典查詞提供。