存儲單元造句

1.3D閃存是下一代閃存技術(shù),相對于2D閃存技術(shù),3D閃存把存儲單元垂直疊加,可大幅提高存儲器容量,但對制造工藝要求更高。

2.在具有微程序控制的指令集的微型計算機中，它包含另外的控制存儲單元。

3.分析了影響這種SRAM存儲單元工作特性的各種因素，包括對其中的反相器、壓控電阻和傳輸門管的研究。

4.存儲容量和性能：通過根據(jù)需要動態(tài)地添加存儲單元來實現(xiàn)。

5.將一個或多個存儲單元或者寄放器置成預(yù)先規(guī)定的狀態(tài)，通常置成零狀態(tài)。

6.由此可見,加數(shù)和被加數(shù)都應(yīng)足夠小,以便能夠適合地裝入一個存儲單元.

7.存儲器采用六管CMOS存儲單元、鎖存器型敏感放大器和高速譯碼電路，以期達(dá)到最快的存取時間。

8.對第一代開關(guān)電流存儲單元產(chǎn)生的時鐘饋通誤差做了合理的近似分析，設(shè)計了一種高性能開關(guān)電流存儲單元。

9.某些非晶體存儲器中的一個存儲單元.

10.在某些系統(tǒng)中,任何一個離散的存儲單元,如字節(jié)、字、數(shù)據(jù)塊、存儲桶、磁盤圓柱、磁道扇區(qū)等.

11.觸發(fā)器是構(gòu)成時序邏輯電路的存儲單元和核心部件.

12.你可以借助于壓縮十進(jìn)制數(shù)字的方法來節(jié)省大量的存儲單元.

13.量子計算機存儲單元的相干脫散，破壞量子態(tài)中的信息，是量子計算機難以實現(xiàn)的主要原因之一。

14.通過在峰值存儲單元中引入零點及在峰值檢測電路中引入前饋，實現(xiàn)了對自動增益控制環(huán)阻尼特性的調(diào)整。