1.光激螢光分析可快速又可靠的得到材料中之能階結構以及載子躍遷行為,是一個有力又無破壞的分析技術。
2.本論文中,我們主要研究單軸應變技術對奈米尺寸之互補式金氧半場效電晶體及雙載子電晶體特性之影響。
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