負(fù)阻

1.該結(jié)構(gòu)降低了器件的寄生電容，改善了敏感薄膜的負(fù)阻特性，適用于共振隧穿效應(yīng)陀螺。

2.亮毗佐危國,負(fù)阻不賓,然猶存錄其言,恥善有遺,誠是大晉光明至德,澤被無疆,自古以來,未有之倫也。

3.本文對它的光電負(fù)阻特性進(jìn)行了數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)研究，給出了器件等效電路。

4.全面介紹了從硅光電負(fù)阻器件上發(fā)現(xiàn)的幾種光電控制功能，為進(jìn)一步開發(fā)應(yīng)用這類器件奠定了基礎(chǔ)。

5.該文以負(fù)阻振蕩器設(shè)計(jì)及自適應(yīng)遞推算法為基礎(chǔ)，提出了負(fù)阻振蕩器的最佳自適應(yīng)遞推設(shè)計(jì)方法。

6.借助于該電路，在微分負(fù)阻單口電路的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了斜率可調(diào)壓控微分負(fù)阻雙口。

7.在對負(fù)阻元器件特性進(jìn)行研究和分析的基礎(chǔ)上引出負(fù)阻效應(yīng)的概念，對負(fù)阻效應(yīng)產(chǎn)生方式和原理進(jìn)行了論述。

8.根據(jù)BNRT不同工作狀態(tài)下的內(nèi)部電勢、電子濃度和空穴濃度分布，解釋了其S型負(fù)阻特性的產(chǎn)生機(jī)理。

9.提出把LC振蕩器等效成負(fù)阻振蕩器的新觀點(diǎn)，并以電容三點(diǎn)式振蕩器為例，利用物理概念導(dǎo)出了該振蕩器的振蕩條件和振蕩頻率的準(zhǔn)確公式，并將結(jié)果與相關(guān)討論進(jìn)行比較。

10.通過分析CMOS差分負(fù)阻振蕩器的工作原理，得到電路結(jié)構(gòu)和參數(shù)的優(yōu)化方案。

11.用負(fù)阻值估算開關(guān)時間。